● 與普通CVD相比可以在低溫環境下進行氣相沉積實驗
● 可以通過爐體滑動達到快速升溫和降溫
● 對于薄膜的應力可以通過射頻電源的頻率來進行控制
● 通過工藝調節來控制化學計量
● 可以沉積各種材料，如SiOx, SiNx, SiOxNy 和(a-Si:H) 等.

● 輸入電源: 208 – 240V AC,功率： 1.2kW
● 最高工作溫度1200°C，小于60分鐘
● 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，并且內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層，可以提高加熱效率，反射率及延長儀器的使用壽命（點擊文字了解涂層的詳細參數）
● 連續工作溫度1100°C
● 爐管采用高純石英管：50mmOD x 44mmID x 1000mm L
● 可設置30段升降溫程序，并且帶有過熱和斷偶保護功能
● 加熱區長度：200mm 單溫區.
以下圖片顯示加熱區的溫度曲線圖

● 輸出功率: 5 -300W 可調 穩定性± 1%
● 射頻電源頻率: 13.56 MHz 穩定性±0.005%
● 最大反向功率: 200W
● 匹配:自動
● 射頻電源電子輸出端口: 50 Ω, N型半導體, 陰極
● 噪音: <50 dB.
● 冷卻:風冷
● 電源: 208-240VAC, 50/60Hz

● 真空法蘭采用 304不銹鋼制作.
● 左端法蘭上安裝有 KF-25真空接口，2個KF-25快速卸裝卡箍，KF-25直角閥，KF-25真空波紋管和1/4軟管接頭和不銹鋼針閥

● AC 220V 50 Hz  1/2HP  375W
● 2 Liter /S
● 出氣端安裝有油霧過濾器（防止油霧擴散到空氣中，保護環境和人體健康）
● 真空度:  10-2 torr
可選水冷機：

1500mm x 600mm x 1200mm ( L x W x H)

160kg

CE Certified