應用范圍:OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化學混合氣相沉積)系統,帶有獨特的原料推進系統和1350℃原位蒸發槍。原料推進系統和同時/依次將3種反應原料推入到爐管中(可設定推入位置和推進速度),以達到適合的蒸發溫度。溫度可控型原位蒸發槍,最高溫度可達1350℃,也可多固體原料原位蒸發。所以此系統可對4種固體或液體源供蒸發。此設備適合各種HPCVD實驗,特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏,用戶可設置進料速度,進料位置及實時監測蒸發原料的溫度。
產品型號 :OTF-1200X-III-HPCVD-SE
上架時間 :2019-07-05
安裝尺寸:4000×600×1500m
OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化學混合氣相沉積)系統,帶有獨特的原料推進系統和1350℃原位蒸發槍。原料推進系統和同時/依次將3種反應原料推入到爐管中(可設定推入位置和推進速度),以達到適合的蒸發溫度。溫度可控型原位蒸發槍,最高溫度可達1350℃,也可多固體原料原位蒸發。所以此系統可對4種固體或液體源供蒸發。此設備適合各種HPCVD實驗,特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏,用戶可設置進料速度,進料位置及實時監測蒸發原料的溫度。
性能指標和基本配置 | |
---|---|
爐體結構 |
● 獨特的原料推進系統可在真空或氣氛保護環境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中(并可實時監測其溫度),溫度可控型原位蒸發槍,最高溫度可達1350℃,適合用HPCVD法生長多層膜。 |
電源要求 |
● 單相208~240VAC |
加熱區 |
● 三個加熱區,每個加熱區長度:300mm |
恒溫區 | |
工作溫度 |
● 最高工作溫度:1200℃(<1hr) |
升溫速率 |
≤ 10°C /min |
原料推進系統&蒸發槍 |
● 獨特的原料推進系統可在真空或氣氛保護環境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中(并可實時監測其溫度),利用推送系統可將3個不同蒸發源同時/依次送入3個獨立的小石英管中,精確地找到所需溫度,保證實驗精確性和重復性 |
坩堝移動控制 |
● 坩堝的移動速度和移動距離通過步進電機驅動,可設定控制 |
沉積樣品臺 |
● 特殊設計樣品臺,帶有手動遮擋板,放置原料交替試導致所制備樣品污染 |
溫度控制系統 |
● 三個溫區由三個獨立的溫控系統控制,采用PID方式調節溫度,可設置30段升降溫程序 |
管式爐配置 |
● 爐管,采用高純石英管,尺寸為Φ130(外)mm×Φ122(內)mm×1200mm(長) |
真空計 |
● 防腐型復合真空計(皮拉尼和隔膜規) |
真空泵&真空度 | |
氣體流量控制系統 | |
循環水冷機 | |
設備尺寸 | |
國家專利 |
專利名稱:一種小型熱等靜壓爐裝置 |
質量認證 | |
保修期 |
一年保修,終身技術支持。 特別提示: 1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內。 2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內。 點擊查看售后服務承諾書。 |
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